本实用新型公开了一种三凸梁式微机械加速度传感器。所述的传感器包括敏感芯片和下玻璃板；其中，敏感芯片采用结构对称的双端固支的双质量块，共包含两个锚区、三个敏感凸梁、两个质量块、四个压敏电阻。其连接关系是，所述的两个质量块通过一个敏感凸梁连在一起，另外两个敏感凸梁分别放置在质量块两端，构成敏感芯片的可动部分；四个压敏电阻分别设置在敏感凸梁上表面；可动部分的两端分别与锚区连在一起构成敏感芯片；所述的敏感芯片与下玻璃板通过键合连接。本实用新型的传感器的固有频率可达300KHz以上，且不使灵敏度下降，避开了常规设计中两者不可协调的矛盾。

本发明所提供的一种集成硅微电阻式加速度传感器及制造加工方法，包括基座、壳体，由八根为应变梁支承的质量块，压敏电阻及电桥电路所构成检测芯片，主要采用微机械专用双抛硅晶片、SiO2保护层、光刻、磷扩散和磷离子注入、退火(硅片)、EPW各向异性腐蚀和RIE腐蚀等加工工艺方法。它的测量部分为整体结构，抗过载能力强，使用一个传感器可以进行一维到三维和任意方向的加速度检测。

一种高精度陀螺加速度计标定测试系统，用于陀螺加速度计参数标定与精度测试，属于陀螺加速度计测试领域。一种高精度陀螺加速度计标定测试系统包括直流电源、交流电源、马达电源、外温控、伺服回路、内温控电路、磁悬浮电路、输出电路、第一测试电缆、陀螺加速度计、第二测试电缆、测试工控机，本发明可提供多路隔离直流电源信号；可提供三路隔离交流电源信号；可提供高精度交流马达电源信号；可提供陀螺加速度计温度场调节信号；可提供陀螺加速度计测试所需的伺服回路、内温控电路、磁悬浮电路、输出电路。

本发明涉及一种MEMS加速度计，包括基底、两个支撑体、第一敏感结构、第二敏感结构以及用于连接第二敏感结构和第一敏感结构的承重梁。两个支撑体固定于基底表面，且相对间隔设置。承重梁架设于两个支撑体之间，且与两个支撑体分别固定连接。两个支撑体所在直线与承重梁垂直。本发明减少了锚点数量，避免多个锚点之间的热应力对第一敏感结构和第二敏感结构产生影响。基底产生的热应力通过两个支撑体传递到承重梁时，热应力在承重梁上的趋势表现在两个支撑体的所在直线上，与第一敏感结构与第二敏感结构的测量方向垂直，因此可以避免对测量结果产生影响。

一种倾斜角度测量方法，是采用线性霍尔元件和可转动磁钢构成一套装置。装置内配置有重锤，磁钢安装在这个重锤上，重锤在壳体内一定范围内可以自由摆动，线性霍尔元件安装在测量装置的壳体上。由于受到地心引力的作用重锤始终垂直于水平面，因此当装置的安装面与水平面呈一定角度时线性霍尔元件相对于磁钢之间产生偏移，由线性霍尔元件输出的电压发生改变，这个电压值，正比于该倾斜装置关于水平面的倾斜角，从而检测出倾斜角度。本发明的技术特点是采用可以自由摆动的含磁钢重锤力摆结构和霍尔磁性传感技术，并封装于壳体内，结构简单，成本低廉，不易被破坏，可靠性高，使用寿命长。可用于角度传感器设计和制造。

本发明公开了一种石英挠性加速度计伺服电路及石英挠性加速度计，伺服电路包括差动电容转换器、电流积分器、前置放大器、跨导/补偿放大器、反馈网络和电源升压转换模块；差动电容转换器的输入端与石英挠性加速度计中石英表头的差动电容传感器输出端连接，差动电容转换器的输出端连接电流积分器的输入端，电流积分器的输出端连接前置放大器的输入端，前置放大器的输出端连接跨导/补偿放大器的输入端，跨导/补偿放大器的输出端分别连接反馈网络的输入端和石英挠性加速度计中石英表头的力矩器线圈4输入端，反馈网络的输出端连接前置放大器的输入端；电源升压转换模块用于将外接电源升压变换后为跨导/补偿放大器供电。

本发明展现和描述了一种磁感应流量计，所述磁感应流量计使用用于空管检测的电容测量装置(8)来测量流动的导电介质的速率。为了改进空管检测，特别的，与导电介质的电容耦合，本发明提供用于空管检测的测量装置(8)，其包括电极(10)和对电极(11)，所述电极(10)和所述对电极(11)中的每个为片状设计，所述电极(10)和所述对电极(11)形成测量电容C_Mess，所述测量电容C_Mess取决于所述测量介质(2)和所述测量管(3)的填充级别；为了最大化测量电容C_Mess，至少在所述电极(10)和所述对电极(11)的区间内，所述测量管(3)具有减少的壁厚度；所述测量管(3)被金属制成的支撑外壳(17)包裹；其中，为了维持的所述测量管(3)的抗压强度，在每种情况中，位于所述电极(10)和所述支撑外壳(17)的内壁之间，以及位于所述对电极(11)和所述支撑外壳(17)的内壁之间的减少的壁厚区间设有用于最小化寄生电容对测量电容C_Mess的影响的具有中空壁设计的支撑元件(18)，其中，在每种情况中，通过支撑元件将所述测量管(3)紧靠所述支撑壳(17)。

本发明所提供的一种集成硅微电阻式加速度传感器及制造加工方法,包括基座、壳体,由八根为应变梁支承的质量块,压敏电阻及电桥电路所构成检测芯片,主要采用微机械专用双抛硅晶片、SiO₂保护层、光刻、磷扩散和磷离子注入、退火(硅片)、EPW各向异性腐蚀和RIE腐蚀等加工工艺方法。它的测量部分为整体结构,抗过载能力强,使用一个传感器可以进行一维到三维和任意方向的加速度检测。