基本信息

• 发明名称： 【发明专利】 集成硅微电阻式加速度传感器及其制造加工方法
• 申请日： 1970-08-20
• 申请号/专利号： CN00126172.X
• 专利权人： 刘俊;孟令军;张文栋;张斌珍;李永红;熊继军;董海峰;郭涛
• 申请人： 华北工学院微米纳米技术研究中心
• 分类号： G01P15/12
• 发明人/设计人： 刘俊;孟令军;张文栋;张斌珍;李永红;熊继军;董海峰;郭涛
• 公开日/公告日： 1970.08.20
• 优先权号： G01P15/12
• 代理机构：
• 代理人：
• PCT申请号： 无
• PCT申请日期： 无
• PCT进入国家阶段日： 无
• 生物宝藏信息： 无
• 审查员： 无

摘要：本发明所提供的一种集成硅微电阻式加速度传感器及制造加工方法,包括基座、壳体,由八根为应变梁支承的质量块,压敏电阻及电桥电路所构成检测芯片,主要采用微机械专用双抛硅晶片、SiO₂保护层、光刻、磷扩散和磷离子注入、退火(硅片)、EPW各向异性腐蚀和RIE腐蚀等加工工艺方法。它的测量部分为整体结构,抗过载能力强,使用一个传感器可以进行一维到三维和任意方向的加速度检测。

摘要附图：