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4931件专利文献

【发明专利】 一种单硅片体微机械工艺实现的带静电自检测的加速度计

申请号:CN200410018076.3 申请日:1970-08-21
公开/公告号:CN1570651A 公开/公告日:1970-08-21
申请人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明人:李昕欣;王跃林;程保罗
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本发明涉及一种单硅片体微机械工艺实现的带有静电自检测功能的加速度传感器,其特征在于它在同一个单元上集成了加速度传感器和自检驱动执行器。使用深沟电隔离绝缘条将体硅深刻蚀侧壁隔绝为不同电学区域后,独立出适当的区域用以实现静电驱动。该传感器采用压阻敏感原理,在平面内自限制工作。该器件使用深反应离子(DRIE)刻蚀出可横向摆动的悬臂梁,在刻蚀深沟进行侧壁扩散与侧壁绝缘形成敏感压阻和静电驱动电容。本加速度传感器采用非键合的普通单硅片制造。本器件为单片集成,有利于封装和批量生产。

【发明专利】 一种单轴MEMS加速度计

申请号:CN201611031240.3 申请日:1970-08-22
公开/公告号:CN106771354A 公开/公告日:1970-08-22
申请人:三峡大学 发明人:刘敏;张超;朴红光;杨先卫;潘礼庆;王超;罗志会;许云丽;谭超;赵华;郑胜;鲁广铎;黄秀峰
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本发明公开了一种单轴MEMS加速度计。该加速度计包括磁场源,用于产生梯度磁场,所述磁场源的位置固定;隧道磁电阻芯片,所述隧道磁电阻芯片为具有隧道磁电阻传感器的芯片,所述隧道磁电阻芯片用于感知磁场大小和方向的变化;所述隧道磁电阻芯片与所述磁场源位于同一直线上,所述隧道磁电阻芯片在加速度的作用下能够沿所述直线移动,所述隧道磁电阻芯片的磁敏感方向与所述磁场源的磁矩方向位于同一直线上。本发明提供的单轴MEMS加速度计具有精度高、测量范围大、体积小的优势。

【发明专利】 基于碱金属激光器的原子磁力计

申请号:CN201811631702.4 申请日:1970-08-22
公开/公告号:CN109546525A 公开/公告日:1970-08-23
申请人:中国科学院电子学研究所 发明人:宁方晋;李志永;谭荣清
代理人: 分类号:H01S3/081
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本公开提供了一种基于碱金属激光器的原子磁力计,包括半导体激光器,输出半导体激光;聚焦镜,连接到所述半导体激光器,将泵浦光聚焦;偏振器件,连接到所述聚焦镜,用于实现半导体激光与碱金属激光的耦合,碱金属气室,连接到所述偏振器件,所述碱金属气室设置于碱金属激光的谐振腔内;第一高反射镜,连接到所述碱金属气室;第二高反射镜,与第一高反射镜形成碱金属激光的谐振腔,对碱金属激光实现光放大;功率计,连接至第二高反射镜,用于测量碱金属激光透过第二高反射镜的输出功率。该基于碱金属激光器的原子磁力计通过测量碱金属激光器的输出功率获得碱金属气室所属位置的磁场信息,减小了后续信号处理的难度。

【实用新型】 抗压强度测定仪

申请号:CN200420027395.6 申请日:1970-08-21
公开/公告号:CN2695947Y 公开/公告日:1970-08-21
申请人:陶克靖 发明人:陶克靖
代理人: 分类号:
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本实用新型涉及一种建筑、勘探等行业使用的抗压强度测定仪。该仪器包括测试电路,还包括电机、夹头和螺钻,所述电机的主轴下段与夹头固连,所述螺钻夹持在夹头中,所述主轴中段对称贴有1-2组呈桥式分布的电阻应变片,所述应变片的引出线通过电刷触点与固定在电机上的测试导线座电连接,所述导线座外接测试电路。本实用新型从抗剪强度、抗压强度、粘聚力、内摩擦角等参数的内在联系,打破常规,找出了可以避免破坏性取样的测量抗压强度方法,并且借助现有先进的测量电路,巧妙利用电钻结构,设计出切实可行的抗压强度测定仪,从而解决了长期以来困扰勘探、建筑等诸多行业中岩石、混凝土抗压强度测定难的问题。

【发明专利】 一种阵列式汽车油箱液位测量压力传感器及其制备方法

申请号:CN202010978512.0 申请日:1970-08-23
公开/公告号:CN112067079A 公开/公告日:1970-08-23
申请人:吉林大学 发明人:徐淮良;苏越
代理人: 分类号:G01L9/06
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本发明公开了一种阵列式汽车油箱液位测量压力传感器及其制备方法,属于压力传感器技术领域,采用飞秒激光光丝实现图案化高浓度掺杂,制备出压敏电阻,采用飞秒直写系统对注入层进行退火处理,沉积钝化层并通过光刻、刻蚀得到接触孔,通过光刻、磁控溅射得到金属铝导线和焊盘。在背面通过光刻、刻蚀得到硅杯窗口,通过腐蚀得到应变膜。制备好的器件与硼硅玻璃进行键合,制备出阵列式硅杯型压力传感器,本发明采用飞秒激光光丝掺杂与飞秒激光退火相结合方式,操作简单、掺杂效率高、选择性在晶圆表面进行激光处理,可避免热退火所导致的衬底电学参数变坏、注入杂质再分布以及注入图形发生畸变的问题,整体采用阵列式结构以便于液面不同高度的检测。

【发明专利】 磁感应流量计

申请号:CN95191017.5 申请日:1970-08-20
公开/公告号:CN1074537C 公开/公告日:1970-08-20
申请人:克洛纳测量技术公司 发明人:A·斯特拉特曼;A·莱尼格;A·顿哈夫;J·W·克雷恩;P·杜伦科普夫
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发明涉及一种用于通过一个用作测量管道的、由陶瓷材料构成的管段(1)对流动的介质进行流量测量的磁感应流量计,该流量计具有一个用于产生一个至少基本上垂直于管轴伸展的磁场的磁铁、至少两个最好是垂直于管轴并最好是垂直于磁场方向设置的测量电极(2,3)、和至少两个相对于外部电场对测量电极(2,3)进行屏蔽的屏蔽电极(4,5),测量电极(2,3)和屏蔽电极(4,5)安置在管段(1)之外。所述的磁感应流量计的特征在于,设置一个包围管段(1)的陶瓷层(6),测量电极(2,3)基本上设在该陶瓷层(6)的内部,特别是设在层(6)和管段(1)之间的界面上,并且屏蔽电极(4,5)设在陶瓷层(6)的内部,特别是设在层(6)和管段1之间的界面上,尤其是设在陶瓷层(6)的外表面上,使测量电极(2,3)对外得到屏蔽电极(4,5)的屏蔽。

【发明专利】 一种MEMS电容式加速度计特征参数测量系统及测量方法

申请号:CN201811567085.6 申请日:1970-08-22
公开/公告号:CN109738670B 公开/公告日:1970-08-23
申请人:哈尔滨工业大学 发明人:付强;刘晓为;尹亮;张宇峰;陈东亮
代理人: 分类号:G01P21/00
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本发明公开了一种MEMS电容式加速度计特征参数测量系统及测量方法,所述测量系统包括平衡式电容电桥与检测接口电路两部分,平衡式电容电桥由第一匹配电容Cref1、第二匹配电容Cref2和MEMS电容式加速度计构成;检测接口电路由第一电荷放大器、第二电荷放大器、仪表放大器、频谱分析仪、第一反馈电容Cf1、第二反馈电容Cf2构成。本发明的测量系统可以实现对MEMS电容式加速度计中敏感电容的驱动和检测以及对不同特征参数的分离提取。本发明的电学测量方法以电学测量系统为基础,配合精确的传感器姿态控制,可以准确的实现MEMS电容式加速度计的特征参数的测量,进而为后续接口电路的设计工作提供参考和指导。

【发明专利】 磁感应流量计和测量点

申请号:CN201980082631.3 申请日:1970-08-23
公开/公告号:CN113167615A 公开/公告日:1970-08-23
申请人:恩德斯+豪斯流量技术股份有限公司 发明人:西蒙·玛利亚格
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本发明涉及一种磁感应流量计,该磁感应流量计用于测量介质的流速或体积流率,包括:测量管,该测量管具有第一横截面并且用于传输介质,其中,该测量管在入口侧端面和出口侧端面之间具有中心区段,该中心区段具有第二横截面,其中,该第一横截面面积大于第二横截面面积;至少一个磁场产生装置,该至少一个磁场产生装置用于在介质中产生基本上垂直于纵向方向的磁场,其中,该磁场产生装置具有极靴或鞍形线圈,其中,在测量管的第二横截面中,极靴或鞍形线圈以最大中心角β围绕该流体传导通道;以及电极系统,该电极系统具有至少两个电极对,该至少两个电极对被设计成检测记录电极对之间在垂直于磁场并且垂直于纵向方向感应到的电压。每个电极对的第一电极位于测量管的第一侧上,并且每个电极对的第二电极位于第二侧上。中心角α在测量管的第二横截面中限定了最小圆形扇段,位于测量管各一侧上的电极分布在该最小圆形扇段中。这些电极对布置在该中心区段中。磁感应流量计其特征在于,中心角α和β彼此协调以使得该流量计对于旋转对称流动的偏离不敏感。