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基本信息
摘要:一种能够降低时效变化的气体流量计,包括形成的含有腔室的半导体基材和在半导体基材腔室以上通过绝缘膜形成的热元件。该热元件是在高浓度下杂质掺杂的硅(Si)半导体薄膜。在硅(Si)半导体薄膜以上和以下形成作为屏蔽层的化学计量稳定的氮化硅(Si3N4)薄膜,它在热元件的生热温度范围中较少渗透和较少吸收氢气。
摘要附图: