基本信息
摘要：本发明提供半导体变形测量仪及其制造方法。该半导体变形测量仪防止半导体的变形测量仪的沟道的产生，在扩散电阻区域的周围附着了杂质或电荷的情况下，或在半导体基板的杂质浓度低的情况下，防止在电极焊盘之间容易产生的沟道的产生，使输出的电阻值稳定。该半导体变形测量仪具备扩散电阻区域，该扩散电阻区域形成在规定的导电性的半导体基板的表面、且与该半导体基板的导电性相反，在该扩散电阻区域的两端具备电极，其中，在扩散电阻区域的周围具备与该半导体基板相比掺杂了高浓度的杂质的、与半导体基板的导电性相同的高浓度杂质扩散层，上述电极中的一方延伸形成至该高浓度杂质扩散层、连接了该扩散电阻区域和该高浓度杂质扩散层。
摘要附图：
