基本信息
摘要：本发明涉及微加速度计，具体为一种基于e指数半导体器件的嵌入式高灵敏度微加速度计。本发明解决了现有微加速度计灵敏度低无法满足测量要求的问题。基于e指数半导体器件的嵌入式高灵敏度微加速度计，包括Si基外延2umGaAs衬底、e指数半导体器件、质量块、检测梁、以及控制孔；其是由包括如下步骤的制造方法制得的：e指数半导体器件的制备：刻蚀出控制孔；将质量块背面进行深槽刻蚀；从基片背面ICP刻蚀控制孔直至穿透，继续ICP刻蚀基片背面形成检测梁，最终释放质量块，形成完整的微加速度计结构。本发明所述的微加速度计具有高灵敏度，有效利用了e指数半导体器件的力电耦合、转换机理，可广泛适用于加速度测量。
摘要附图：
