基本信息

• 发明名称： 【发明专利】 半导体加速度传感器
• 申请日： 1970-08-20
• 申请号/专利号： CN97109504.3
• 专利权人： 加藤健二;新荻正隆;齐藤丰
• 申请人： 株式会社精工电子研究开发中心
• 分类号： H01L49/00
• 发明人/设计人： 加藤健二;新荻正隆;齐藤丰
• 公开日/公告日： 1970.08.20
• 优先权号： H01L49/00
• 代理机构：
• 代理人：
• PCT申请号： 无
• PCT申请日期： 无
• PCT进入国家阶段日： 无
• 生物宝藏信息： 无
• 审查员： 无

摘要：为了从一个半导体晶片中制造大量的传感器，在本发明中扩散电阻被置于传感器的侧面。通过在传感器的侧面上提供位移检测装置，通过较少的制造工序就可以获得高精密度低成本的传感器，而无须蚀刻工序。而且，可以提供较好成品率的包括半导体加速度传感器的半导体器件。

摘要附图：