基本信息

• 发明名称： 【发明专利】 CMOS辐射热测量计
• 申请日： 1970-08-22
• 申请号/专利号： CN201380054956.3
• 专利权人： A·萨马奥;A·费伊;F·普尔科;G·亚马;Ｇ·奥布赖恩
• 申请人： A·萨马奥;A·费伊;F·普尔科;G·亚马;罗伯特·博世有限公司;Ｇ·奥布赖恩
• 分类号： G01J5/20
• 发明人/设计人： A·萨马奥;A·费伊;F·普尔科;G·亚马;Ｇ·奥布赖恩
• 公开日/公告日： 1970.08.22
• 优先权号： G01J5/20
• 代理机构：
• 代理人：
• PCT申请号： 无
• PCT申请日期： 无
• PCT进入国家阶段日： 无
• 生物宝藏信息： 无
• 审查员： 无

摘要：一种用于制造半导体装置的方法包括在互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺期间在衬底(100)上形成至少一个牺牲层(106，108，110)。在所述至少一个牺牲层的顶部上沉积吸收体层(130)。去除所述至少一个牺牲层(106，108，110)的在所述吸收体层下方的一部分以形成间隙(G1)，所述吸收体层的一部分悬挂在所述间隙上方。所述牺牲层能够是CMOS工艺的氧化物，所述氧化物被利用选择性氢氟酸气相干式蚀刻释放工艺去除以形成间隙。所述牺牲层也能够是聚合物层，其中，所述聚合物层被利用氧气等离子体蚀刻工艺去除以形成间隙。

摘要附图：