基本信息
摘要：本实用新型公开了一种磁场/加速度集成传感器，所述传感器包括设置在同一芯片上的磁场传感器和加速度传感器，磁场传感器磁敏感单元包括硅磁敏三极管和霍尔磁场传感器，其中，霍尔磁场传感器以原位掺杂纳米硅薄膜nc‑Si:H(n+)作为磁敏感层，加速度传感器敏感单元主要为原位掺杂的纳米多晶硅薄膜电阻，可实现对三维磁场和三轴加速度的同时测量。本实用新型基于微电子机械加工技术在SOI晶圆器件层上完成集成传感器芯片制作，并通过键合工艺和内引线压焊技术实现芯片封装，具有体积小、易于批量生产等特点。
摘要附图：
