基本信息

• 发明名称： 【发明专利】 基于高电子迁移率晶体管HEMT的微加速度计
• 申请日： 1970-08-21
• 申请号/专利号： CN200910227917.4
• 专利权人： 侯婷婷;刘俊;刘国文;唐军;崔兢;张文栋;张斌珍;熊继军;苏淑靖;薛晨阳;谭振新;贾晓娟;马游春
• 申请人： 中北大学
• 分类号： H01L21/335
• 发明人/设计人： 侯婷婷;刘俊;刘国文;唐军;崔兢;张文栋;张斌珍;熊继军;苏淑靖;薛晨阳;谭振新;贾晓娟;马游春
• 公开日/公告日： 1970.08.22
• 优先权号： H01L21/335
• 代理机构：
• 代理人：
• PCT申请号： 无
• PCT申请日期： 无
• PCT进入国家阶段日： 无
• 生物宝藏信息： 无
• 审查员： 无

摘要：本发明涉及微加速度计领域，具体是一种基于高电子迁移率晶体管HEMT的微加速度计。适应了微加速度计应用领域对高灵敏度微加速度计的需要，实现高电子迁移率晶体管HEMT力电转换机理在微加速度计上的应用，所述微加速度计采用以下步骤加工制造：1、应用分子束外延技术在GaAs衬底上生长出如下表1所示材料层结构的薄膜；2、应用微机电器件加工技术在薄膜上加工高电子迁移率晶体管HEMT；3、应用微机电器件加工技术加工微加速度计结构。有效利用高电子迁移率晶体管HEMT的力电转换机理，实现了高电子迁移率晶体管HEMT在微加速度计上的应用，灵敏度高、线性度好，完全可以适应微加速度计应用领域的实际需要。

摘要附图：