基本信息
摘要:It is proposed to make thin film magnetic field sensors with perpendicular axis sensitivity, based on a giant magnetoresistance material or a spin tunnel junction, by making use of ferromagnetic layers that have strongly different uniaxial anisotropies and/or have a modified magnetization curve by antiferromagnetic exchange coupling with an auxiliary ferromagnetic layer. A strongly miniaturizable magnetic field sensor is based on four spin tunnel junctions, together forming a Wheatstone bridge. The magnetically sensitive electrode functions as well as a laminated flux concentrator, resulting in a low noise single domain configuration. The very simple design also allows easy definition of the fixed magnetization direction of the counter electrode. Very high output voltage combined with very low power. L'invention concerne la fabrication de capteurs de champ magnétique qui comportent une sensibilité d'axe perpendiculaire et sont basés sur une matière de résistance magnétique ou une jonction tunnel rotatoire, à l'aide de couches ferromagnétiques. Ces couches ont des anisotropies uniaxiales très différentes et/ou une courbe d'aimantation modifiée par l'échange anti-ferromagnétique associée à une couche ferromagnétique auxiliaire. Un capteur de champ magnétique très miniaturisable est basé sur quatre jonctions tunnel rotatoires formant ensemble un pont de type Wheatstone. L'électrode magnétiquement sensible ainsi qu'un concentrateur de flux laminé fonctionnent de telle façon que l'on obtienne une configuration à moment unique à faible bruit. La structure très simple permet également une définition élémentaire de la direction d'aimantation fixée de la contre-électrode. Une tension de sortie très élevée peut être associée à une puissance très faible.
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